三星宣布已向全球客戶交付新一代HBM4內(nèi)存樣品，預(yù)計(jì)將在2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。三星在剛剛公布的2025年第三季度業(yè)績報(bào)告中證實(shí)，目前HBM3E已經(jīng)進(jìn)入批量生產(chǎn)階段并銷售給相關(guān)客戶，同時(shí)HBM4樣品也已同步發(fā)往關(guān)鍵客戶。三星表示，其存儲業(yè)務(wù)依舊表現(xiàn)強(qiáng)勁，先進(jìn)內(nèi)存產(chǎn)品市場需求旺盛。
此外，三星還透露，2026年其晶圓代工業(yè)務(wù)將致力于穩(wěn)定供給新型2納米GAA產(chǎn)品與HBM4基礎(chǔ)芯片，并計(jì)劃在美國德克薩斯州泰勒市的新工廠按時(shí)投入運(yùn)營。
HBM堆棧由最多12層堆疊的DRAM芯片組成，并通過硅通孔（TSV）相連，其中可選嵌入基礎(chǔ)芯片，提供定制邏輯或加速電路以滿足特殊需求。通常，大客戶如NVIDIA和AMD會(huì)因采購量大而要求定制功能，雖然這些芯片不一定具備強(qiáng)大的計(jì)算能力，但可通過數(shù)據(jù)處理與邏輯芯片提升數(shù)據(jù)包傳輸效率、降低延遲、增強(qiáng)推理階段的性能，使吞吐量實(shí)現(xiàn)明顯提升。
根據(jù)報(bào)道，三星HBM4是否會(huì)超越JEDEC標(biāo)準(zhǔn)以滿足NVIDIA等公司的需求，目前尚不明朗。例如，美光（Micron）已跳過JEDEC規(guī)格，將HBM4的帶寬從標(biāo)準(zhǔn)的2 TB/s和每針8 Gb/s提升到11 Gb/s，總帶寬提升至2.8 TB/s，較標(biāo)準(zhǔn)高出40%。因此，預(yù)計(jì)三星也將不斷優(yōu)化其HBM4，以在帶寬等方面保持市場競爭力，更好地滿足大客戶需求。